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台积电3nm芯片传来新消息，事关订单、版本以及量产时间等

时间：2021-10-15 20:35:00 来源：网络整理

都知道，工艺制程越先进的芯片，其性能越强，功耗越低，所以芯片工艺一直都在进步，这几年来，芯片工艺已经从28nm进步到了5nm。

就目前而言，高端旗舰手机基本上都采用了是5nm制程的芯片，而PC等设备往往都是采用Seven纳米制程的芯片，这两种工艺的芯片是用途相对广泛的先进工艺。

但是，5nm芯片已经量产2年了，芯片制造企业都在全力推进3nm制程的芯片，台积电、三星均是如此。

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据悉，三星早就展示了用3nm工艺生产制造的储存芯片，并要用GAA工艺生产制造3nm芯片，而台积电仍是采用传统的FinTET工艺量产3nm芯片。

尽管工艺不同，但三星先量产的3nm芯片仍是采用FinTET工艺，量产时间与台积电一样，都是2022年，至于GAA工艺的3nm芯片，预计在2023年量产。

日前，台积电正式发布了2021年第三季度财报数据，营收为148.8亿美元，净利润再次超过50亿美元，环比、同比均大涨。

台积电3nm芯片传来新消息，事关订单、版本以及量产时间等

最主要的是，台积电3nm芯片传来新消息，事关量产时间、版本以及订单等，信息量有点儿大。

消息称，台积电3nm芯片将会在今年第四季度进行试产，首批产能给了苹果和英特尔，量产时间则是2022年后半年。

虽然台积电在3nm芯片仍采用传统的FinTET工艺，但台积电3nm芯片也为两个版本，其分为N3和N3E，后者是加强版，预计在2023年量产。

也就是说，台积电3nm芯片与三星3nm芯片一样，都是两个版本，不同的是，三星分别采用了FinTET工艺和GAA工艺，而GAA工艺的3nm芯片则是2023年量产。

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根据三星方面发布的消息可知，三星GAA工艺的3nm芯片比台积电传统工艺的3nm芯片的性能要强很多，但不知道对比台积电N3E的芯片，其还有多少优势。

在订单方面，保守估计，三星仍主要生产高通和自家3nm制程的芯片，而台积电则主要生产苹果和英特尔的3nm芯片订单。

毕竟在全球范围内，能够研发设计3nm芯片的厂商屈指可数，就目前为止，很多厂商还无法自主研发设计5nm制程的芯片。

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当然，台积电N3E和三星GAA 工艺的3nm芯片都将在2023年量产，可能也是在等待ASML全新一代EUV光刻机。

据悉，台积电等仍用现有的NXE:3400C型号的EUV光刻机生产制造3nm芯片，而2023年生产制造的N3E和GAA工艺的3nm芯片，则将会用ASML全新一代EUV光刻机。

根据ASML发布的消息可知，其已经完成了新一代EUV光刻机的研发，目前已经开始生产制造，最快将会在2022年下线，保守下线时间是2023年。

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相比现有的EUV光刻机而言，ASML全新一代EUV光刻机的NA值高达0.55，能够进行更高精准的光刻，效率也更高，能够用于生产制造3nm、2nm等芯片。

最后，在先进的芯片生产技术方面，台积电始终都是掌握自己手中，并将其留在台湾省。

因为台积电正在台湾省积极准备3nm芯片的试产工厂，也在积极提升5nm等芯片产能，在2nm芯片方面，台积电正在筹建工厂，预计在2024年量产。

但在海外地区，台积电正在建设的最先进芯片生产线是5nm制程，并且到2024年才能够量产。

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从时间角度来看，台积电输出的技术，也就是在海外地区建的工厂，往往都比台积电最先进的技术落后2代左右。


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